Número de Producto del Fabricante:
TSM085NB03CV RGG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM085NB03CV RGG-DG
Descripción:
30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 58A (Tc) 1.92W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
Inventario:
10000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991716
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ENVIAR
TSM085NB03CV RGG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1101 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.92W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (3.15x3.1)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
TSM085
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
1801-TSM085NB03CVRGGTR
1801-TSM085NB03CVRGGDKR
1801-TSM085NB03CVRGGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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